三洋電機日前成功制作出具有實用尺寸（100 cm²甚至更大）的超薄太陽能電池板，而且轉換效率接近三洋在今年5月份報道的23%的最高紀錄。該公司最新一代的HIT太陽能電池厚度只有98 µm，不到該公司最高效率電池厚度的一半，而且其轉換效率也高達22.8%。

制造商一直致力于使用更薄的硅晶圓，這樣可以降低單晶硅（c-Si）太陽能電池的成本，而且可以與薄膜電池技術聯系在一起。除更加便宜之外，薄的太陽能電池重量更輕也更柔軟。然而，降低晶圓厚度也會降低光吸收，從而降低轉換效率。

三洋的HIT（使用本征薄層的異質結）太陽能電池將單晶硅襯底和非晶硅（a-Si）薄膜結合在一起。在他們最新的薄層電池研究中，通過提高硅晶圓的光捕獲效應來解決效率損耗的問題。研究人員通過優化硅的表面織構，可以降低透明導電氧化層（TCO）和a-Si層的光學吸收損耗。這使得98 µm 厚HIT電池的短路電流（ISC）可以由37.3 mA/cm2（電池厚度為85 µm時的值）提高到38.8 mA/cm2。

HIT結構的一個優點是提高了pin結的光學能帶間隙寬度，從而提高了開路電壓（VOC）。P型a-Si的帶隙比n型c-Si的能量帶隙要寬，從而使得VOC更高。使用三洋的新技術，研究人員已經將這一電壓值由0.729 V進一步提高到了0.743 V，根據三洋研發中心太陽能研究分部主任Eiji Maruyama的說法，這一改進主要是通過減少a-Si與c-Si層間界面處的缺陷獲得的。他說，如果界面位置存在較高密度的缺陷，由于帶隙釘扎效應能量帶隙將被壓縮。a-Si層界面位置處懸掛鍵密度的降低可以提高VOC值。

硅表面織構主要是金字塔型織構，優化的一個關鍵步驟是控制金字塔結構的傾角大小。太陽光在硅中移動的距離越長，吸收的光就越多，也就對應著更高的效率。該公司抑制了p型、i型a-Si的光吸收率，而增強n型c-Si的光吸收率。結果是，在約400-450 nm的短波范圍里，轉換效率得到了提升。

在太陽能電池的金字塔型織構中，傾角是提高效率的關鍵。

為提高約1000 nm的長波范圍內的效率，三洋開發了一種新材料來提高電極薄膜的透光率。盡管Maruyama不愿透漏這一材料的具體組成，但據他介紹，其關鍵因素是提高多晶電極的結晶顆粒尺寸并增強電極中的遷移。