疊層電池中微晶硅層的生長速率和質量會顯著影響電池的成本，為了降低微晶硅薄膜電池的成本，必須提高微晶硅的沉積速率，目前在保證電池質量的前提下，采用pecvd技術所能達到的微晶硅沉積速率一般為5a/s，采用hwcvd微晶硅的沉積速率一般為1a／s左右，而疊層電池中微晶硅層的厚度較厚，一般為1～2µm，因此可以推斷采用pecvd技術僅沉積微晶硅層就需要34～68min，這嚴重地影響了電池制備的節拍時間，而且薄膜硅電池整個生產線的節拍時間是由硅薄膜沉積這個工序決定的，因為這段工序所需要的時間最長，因此微晶硅的沉積速率最終影響到了整個產線的節拍時間。
　　目前國內對于微晶硅快速生長的研究僅在南開大學、鄭州大學、南京大學等開展，且產業化的開發還未開始，因此需要進行微晶硅快速生長的研究，以獲得更高生長效率的微晶硅層。
　　因此對于微晶硅高速沉積技術的研究是比較重要的課題方向，研究的內容主要是通過調節電極間輝光放電的頻率和功率、電極距離、氣體的比例、氣體的壓力、氣體的流量等參數以獲得高質量、高沉積速率的微晶硅薄膜，最終縮短微晶硅層的沉積時間。