憑借金剛線切多晶在今年的發(fā)力，多晶在硅片切割技術(shù)方面大大縮小了與單晶的技術(shù)應(yīng)用差距。數(shù)據(jù)顯示，相比之前的砂線切割，金剛線切多晶機(jī)臺(tái)生產(chǎn)效率提升50%以上，單位硅耗降低20%以上，垂直制造成本可降低26%以上，是近年來最重要的降本措施。據(jù)報(bào)道，硅片龍頭保利協(xié)鑫目前已改造完成60%以上的金剛線切多晶產(chǎn)能，預(yù)計(jì)年底前金剛線切片產(chǎn)能占比將超過90%。

　　王栩生表示，金剛線切多晶技術(shù)仍有降本空間，主要取決于鋼線細(xì)線化和硅片薄片化兩個(gè)因素。與會(huì)專家指出，薄片的問題不在于切割端，而在于電池組件工藝術(shù)配套，提升良率。“從技術(shù)角度看，可以薄到110-120微米，相對于當(dāng)前180-200微米左右的硅片厚度仍有很大進(jìn)步空間”，王琪表示。

　　鑒于金剛線切多晶大量推廣，與會(huì)專家一致看好黑硅技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化。孫杰表示，干法黑硅效率提升更高，雖然目前設(shè)備進(jìn)口高昂，但未來有望提升性價(jià)比。王栩生則指出，濕法黑硅被證明更具性價(jià)比，添加劑是過渡性臨時(shí)措施。未來黑硅制絨應(yīng)該和原有的堿制絨工序整合，更增多晶性價(jià)比。

　　黑硅技術(shù)另一大優(yōu)點(diǎn)是與高效PERC技術(shù)的高度匹配。汪晨指出，由于“背鈍化”和“黑硅陷光”的“完美”結(jié)合，多晶黑硅疊加PERC技術(shù)后可得到額外收益，效率比普通多晶PERC高出0.4%，實(shí)現(xiàn)了“1+1＞2”的效果。汪晨表示，與砂線切+普通電池工藝的單位成本（單位：元/瓦）相比，金剛線切多晶+濕法黑硅+PERC的電池制造成本僅為其92.7%，而金剛線切多晶+添加劑制絨+PERC則為其93.5%，性價(jià)比進(jìn)一步凸顯。

　　對于多晶技術(shù)的后續(xù)發(fā)展，與會(huì)專家表示樂觀。王琪表示，金剛線切片、PERC等等在單晶上率先運(yùn)用的技術(shù)，已經(jīng)被證明也可以在多晶技術(shù)上獲得產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，多晶的高效率已經(jīng)和單晶只有0.7個(gè)百分點(diǎn)的差距，而以前這個(gè)差距在1.5-2個(gè)百分點(diǎn)。至于組件端，目前各家都有相應(yīng)的半片技術(shù)儲(chǔ)備，可以解決更高功率的問題。