東芝三菱電機產業系統開發的霧化CVD裝置（a）。利用超聲波使原料溶液霧化后，在基板上分解反應，形成薄膜（b）。（圖片出外：東芝三菱電機產業系統）
　　具體操作過程如下。先由（1）超聲波噴霧器利用1.6M～2.4MHz超聲波將成膜原料溶液制成直徑數μm的霧狀液滴注1）。接著，將霧狀原料與載氣混合，輸送至（2）整流噴嘴，噴到基板上。然后，噴到基板上的原料（3）在加熱器產生的熱效應下分解反應，形成薄膜。
　　實現產品化時的最大課題是如何優化對膜厚及膜質不均問題有重大影響的（2）整流噴嘴內部構造。這時需要利用整流噴嘴使霧化的原料均質化，噴到基板上。東芝三菱電機系統在母公司三菱電機的研究所的協助下，對霧化原料的流動與內部構造之間的關系進行了反復分析。另外，還對（1）超聲波噴霧器使用的原料溶液的成分等實施了優化，同時改進了（3 ）加熱器的機構，從而實現了大面積基板的均勻加熱注2）。
　　注1）泄漏至裝置外部的超聲波數量符合制造設備業界團體SEM（I SemiconductorEquipment and Materials International）的標準。
　　注2）在寬1m的基板上形成透明導電膜時，膜厚不均程度為±20％。通過在產生線上排列多個整流噴嘴、重復成膜，便可將成膜膜厚的不均程度降至±10％。
　　憑借上述措施，TMmist可獲得與濺射裝置等同等的膜質。以透明導電膜的特性為例，薄膜電阻值達到了9.5Ω/□，波長400n～800nm的可見光的平均透射率達到了90.5％注3）。可滿足太陽能電池的透明導電膜要求的10Ω/□以下、80％以上的標準（圖2）。
　　注3）形成氧化鋅（ZnO）透明導電膜時，使用由鋅化合物等構成的原料溶液。基板用加熱器加熱至200℃，并向基板上供給臭氧來促進反應。基板上的溫度不均程度為±2％。

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