憑借上述措施，TMmist可獲得與濺射裝置等同等的膜質。以透明導電膜的特性為例，薄膜電阻值達到了9.5Ω/□，波長400n～800nm的可見光的 平均透射率達到了90.5％注3）。可滿足太陽能電池的透明導電膜要求的10Ω/□以下、80％以上的標準（圖2）。



　　無損傷
　　此次裝置比濺射裝置出色的是，不僅能夠減少采用非真空工藝時較大的設置面積及初期投資，而且還可憑借無等離子體損傷這一點來提高基材薄膜的特性。
其中，無等離子體損傷的良好效果得到了太陽能電池廠商的證實。有廠商報告稱，用于CIGS（Cu-In-Ga-Se）型太陽能電池的透明導電膜時，“轉換效率（最大）提高了1成”。在良好的結果鼓舞下，已開始有太陽能廠商考慮導入試制機。
　　另外，成膜速度也比濺射裝置高。濺射裝置約為200nm/分鐘，而TMmist達到了650nm/分鐘。其原因估計是霧狀液體能夠比氣體實現更多的原料供給量。


　　作為TMmist最初的應用領域，東芝三菱電機產業系統選擇的是今后市場有望增長的CIGS型太陽能電池的透明導電膜。而且今后該公司還將開拓其他用途， 比如顯示器等使用的透明導電膜，以及使用有機原料的有機EL等（圖3）。其中，在有機EL方面，除了用于透明導電膜之外，還可用于發光層、電子傳輸層及正 孔傳輸層等。




作者：河合 基伸 來源：日經BP社 責任編輯：wutongyufg