2.現(xiàn)有硅錠項目平均綜合能耗小于9千瓦時/千克，新建和改擴建項目小于7千瓦時/千克；如采用多晶鑄錠爐生產(chǎn)準(zhǔn)單晶或高效多晶產(chǎn)品，項目平均綜合能耗的增加幅度不得超過0.5千瓦時/千克；

　　3.現(xiàn)有硅棒項目平均綜合能耗小于50千瓦時/千克，新建和改擴建項目小于45千瓦時/千克；

　　4.現(xiàn)有多晶硅片項目平均綜合能耗小于60萬千瓦時/百萬片，新建和改擴建項目小于55萬千瓦時/百萬片；現(xiàn)有單晶硅片項目平均綜合能耗小于40 萬千瓦時/百萬片，新建和改擴建項目小于35 萬千瓦時/百萬片；

　　5.電池項目平均綜合能耗小于15萬千瓦時/MWp；

　　6.晶硅電池組件項目平均綜合能耗小于8萬千瓦時/MWp；薄膜電池組件項目平均能耗小于50萬千瓦時/MWp。

　　（三）光伏制造項目生產(chǎn)水耗應(yīng)滿足以下要求：

　　1.多晶硅項目水循環(huán)利用率不低于95%；

　　2.硅片項目水耗低于1400噸/百萬片；

　　3.電池項目水耗低于1700噸/MWp。

　　（四）其他生產(chǎn)單耗需滿足國家相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)。

　　四、環(huán)境保護(hù)

　　（一）新建和改擴建光伏制造項目應(yīng)嚴(yán)格執(zhí)行環(huán)境影響評價制度，未通過環(huán)境影響評價審批的項目不得開工建設(shè)。按照環(huán)境保護(hù)“三同時”要求，項目配套建設(shè)環(huán)境保護(hù)設(shè)施應(yīng)依法申請項目竣工環(huán)境保護(hù)驗收，驗收合格后方可投入生產(chǎn)運行。企業(yè)應(yīng)有健全的企業(yè)環(huán)境管理機構(gòu)，制定有效的企業(yè)環(huán)境管理制度，定期開展清潔生產(chǎn)審核。

　　（二）廢氣、廢水排放應(yīng)符合國家和地方大氣及水污染物排放標(biāo)準(zhǔn)和總量控制要求；惡臭污染物排放應(yīng)符合《惡臭污染物排放標(biāo)準(zhǔn)》(GB14554)，對產(chǎn)生的工業(yè)固體廢物要依法貯存、處置或綜合利用，應(yīng)符合《危險廢物貯存污染控制標(biāo)準(zhǔn)》（GB18597）和《一般工業(yè)固體廢物貯存、處置場污染控制標(biāo)準(zhǔn)》（GB18559）相關(guān)要求，SiCl4 等危險廢物應(yīng)委托具備相應(yīng)處理能力的有資質(zhì)單位進(jìn)行妥善處置；廠界噪聲符合《工業(yè)企業(yè)廠界環(huán)境噪聲排放標(biāo)準(zhǔn)》（GB12348）。

　　（三）鼓勵企業(yè)通過 ISO14001 環(huán)境管理體系認(rèn)證、ISO14064 溫室氣體核證、PAS2050/ISO14067 碳足跡認(rèn)證。

　　（四）光伏制造項目應(yīng)按照環(huán)境影響報告書（表）及其批復(fù)、國家或地方污染物排放（控制）標(biāo)準(zhǔn)、環(huán)境監(jiān)測技術(shù)規(guī)范的要求，制定自行監(jiān)測方案，開展自行監(jiān)測工作，公開自行監(jiān)測信息。