（四）現(xiàn)有光伏制造企業(yè)及項目產(chǎn)品應(yīng)滿足以下要求：
　　1.多晶硅滿足《太陽能級多晶硅》（GB/T25074）1級品的要求；
　　2.多晶硅片（含準單晶硅片）少子壽命大于2μs，電阻率在1-3Ω.cm，碳、氧含量分別小于16和18PPMA；單晶硅3片少子壽命大于10μs，電阻率在1-3Ω.cm，碳、氧含量分別小于10和18PPMA；
　　3.多晶硅電池和單晶硅電池的光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于16%和17%；
　　4.多晶硅電池組件和單晶硅電池組件的光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于14.5%和15.5%；
　　5.硅基、銅銦鎵硒（CIGS）、碲化鎘（CdTe）及其他薄膜電池組件的光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于 8%、10%、11%、10%。

　　（五）新建和改擴建企業(yè)及項目產(chǎn)品應(yīng)滿足以下要求：

　　1.多晶硅滿足《硅多晶》（GB/T12963）2 級品以上要求；

　　2.多晶硅片（含準單晶硅片）少子壽命大于2.5μs，電阻率在1-3Ω.cm，碳、氧含量分別小于8和6PPMA；單晶硅片少子壽命大于11μs，電阻率在1-3Ω.cm，碳、氧含量分別小于8和6PPMA；

　　3.多晶硅電池和單晶硅電池的光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于18%和20%；

　　4.多晶硅電池組件和單晶硅電池組件光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于16.5%和17.5%；

　　5.硅基、CIGS、CdTe 及其他薄膜電池組件的光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于12%、12%、13%、12%。

　　（六）多晶硅電池組件和單晶硅電池組件衰減率在2年內(nèi)分別不高于3.2%和4.2%，25年內(nèi)不高于20%；薄膜電池組件衰減率在2年內(nèi)不高于5%，25年內(nèi)不高于 20%。

　　三、資源綜合利用及能耗

　　（一）光伏制造企業(yè)和項目用地應(yīng)符合國家已出臺的土地使用標準，嚴格保護耕地，節(jié)約集約用地。

　　（二）光伏制造項目能耗應(yīng)滿足以下要求：

　　1.現(xiàn)有多晶硅項目還原電耗小于80千瓦時/千克，綜合電耗小于140千瓦時/千克；新建和改擴建項目還原電耗小于60千瓦時/千克，綜合電耗小于100千瓦時/千克；